一种基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法专利登记公告

专利名称：一种基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法

摘要：本发明公开一种基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，在硅片衬底上通过热氧化形成二氧化硅层和氮化硅，以形成双层钝化复合膜，随后在硅片衬底背面丝网印刷有空心阵列图案的、无玻璃料的铝浆料层并烧结，将硅片放入等离子刻蚀设备中通过等离子体去除硅片衬底背面空心图案处的氮化硅，随后在硅片背面丝网印刷含玻璃料铝浆料层，经烘干烧结烧穿背面薄层二氧化硅，以形成背面点接触电极或线接触电极及局域铝背场。本发明采用丝网印刷及等离子刻蚀等成熟技术，完成高效背面接触电池的制备，其投入成本低，可产业化生产，具有很大市场前

专利类型：发明专利

专利号：CN201210038628.1

专利申请（专利权）人：中山大学

专利发明（设计）人：沈辉;刘家敬;邹禧武;陈达明

主权项：一种基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于包括以下步骤；(1)在硅片衬底的两面经过高温扩散炉形成n型层；(2)采用化学腐蚀溶液去除硅片衬底背面的n型层；(3)在硅片衬底的两面通过热氧化形成热氧化层；(4)在硅片衬底背面镀上一层氮化硅，与热氧化层形成复合钝化膜；(5)在硅片衬底背面丝网印刷有空心阵列图案的无玻璃料铝浆料层，并烧结；(6)在等离子刻蚀设备中通过等离子体去除硅片衬底背面空心图案处的背面氮化硅层；(7)在硅片衬底前表面镀上氮化硅，与热氧化层形成双层减反膜；(8)在硅片衬底

专利地区：广东