高真空电场调制获得分子排布可控纳米薄膜的装置及方法专利登记公告

专利名称：高真空电场调制获得分子排布可控纳米薄膜的装置及方法

摘要：本发明公开了高真空电场调制获得分子排布可控纳米薄膜的装置及方法，涉及有机半导体领域。该装置的蒸发舟(3)置于真空腔(1)内的底座上，衬底(2)置于真空腔(1)内蒸发舟(3)的上方；在衬底(2)和蒸发舟(3)的上下或左右两侧相对放置第一电极板(4)和第二电极板(5)；第一电极板(4)和第二电极板(5)分别与直流电源(DC)连接。高真空电场调制获得分子排布可控纳米薄膜的方法：在真空度为5*10-4Pa的环境下，对第一电极板(4)和第二电极板(5)施加1000～2000V的电压，从而对正在蒸发中的稠环芳烃或酞菁

专利类型：发明专利

专利号：CN201210038984.3

专利申请（专利权）人：北京交通大学

专利发明（设计）人：王琎;张福俊;王健;王梓轩;刘杨;许晓伟;卓祖亮

主权项：高真空电场调制获得分子排布可控纳米薄膜的装置，该装置包括：真空腔(1)、衬底(2)和蒸发舟(3)；蒸发舟(3)置于真空腔(1)内的底座上，衬底(2)置于真空腔(1)内蒸发舟(3)的上方；其特征是：在衬底(2)和蒸发舟(3)的上下或左右两侧相对放置第一电极板(4)和第二电极板(5)；第一电极板(4)和第二电极板(5)分别与直流电源(DC)连接。

专利地区：北京