黑硅材料与金属电极之间欧姆接触的判定与测试方法专利登记公告

专利名称：黑硅材料与金属电极之间欧姆接触的判定与测试方法

摘要：黑硅材料与金属电极之间欧姆接触的判定与测试方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域。本发明的方案要点为：1、通过带反向电压偏置的三电极横向测试装置，直接测试金属/黑硅材料的I-V特性曲线，判定黑硅材料与金属电极之间的接触类型。2、用带反向电压偏置的传输线模型法(TLM法)对黑硅材料的欧姆接触进行测试，得出其比接触电阻。本发明解决了传统的金属/黑硅/单晶硅三明治结构中黑硅/单晶硅异质结对黑硅材料欧姆接触的判定和测试造成的影响，能精确测试金属/黑硅的比接触电阻值。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210039165.0

专利申请（专利权）人：电子科技大学

专利发明（设计）人：李伟;李雨励;何敏;赵国栋;李世彬;吴志明;蒋亚东

主权项：黑硅材料与金属电极之间欧姆接触的判定与测试方法，包括以下步骤：步骤1：在黑硅材料(8)表面沉积三个大小相同、间距相等的方形金属电极(1～3)，同时在与黑硅材料(8)接触的单晶硅(9)背面沉积金属对电极(10)；步骤2：用半导体参数测试仪(12)在黑硅材料(8)表面任意相邻的两个方形金属电极之间施加一个正向电压偏置U+；同时用可变电压源(11)在黑硅材料(8)表面余下的一个方形金属电极与金属对电极(10)之间施加一个反向电压偏置U?；步骤3：逐渐增加反向电压偏置U?的大小，能够观察到随着反向电压偏置U?的增

专利地区：四川