在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法专利登记公告

专利名称：在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法

摘要：本发明公开了在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法，包括(1)GaAs衬底清洗；(2)GaAs衬底预处理；(3)脱氧化膜；(4)GaAs缓冲层生长；(5)低温单层In0.6Ga0.4As大失配缓冲层的生长；(6)In0.3Ga0.7As外延薄膜的生长；其中In0.6Ga0.4As大失配缓冲层和In0.3Ga0.7As外延层都可采用分子束外延生长或金属有机气相沉积技术制备，通过该大失配缓冲层降低由于失配应力造成的各类缺陷，所制备的In0.3Ga0.7As外延层缺陷密度较低，具有缓冲层结构简单、外延生长过

专利类型：发明专利

专利号：CN201210039176.9

专利申请（专利权）人：华南理工大学

专利发明（设计）人：李国强;高芳亮

主权项：在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法，其特征在于包含如下步骤：(1)GaAs衬底清洗超声去除GaAs衬底表面粘污颗粒；经过三氯乙烯、丙酮、甲醇洗涤，去除表面有机物；将GaAs衬底放在60℃的H2SO4∶H2O2∶H2O(5∶1∶1)溶液中腐蚀2分钟；经HCl清洗去除表面氧化物和有机物；去离子水漂洗；清洗后的GaAs衬底用经过过滤的干燥氮气吹干；(2)GaAs衬底预处理GaAs衬底清洗完毕后，送入分子束外延进样室预除气半小时；再送入传递室300?400℃除气1小时，完成除气后送入生长室；(3)脱氧化膜

专利地区：广东