与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体阵列及操作方法专利登记公告

专利名称：与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体阵列及操作方法

摘要：本发明涉及一种与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体阵列及操作方法，其包括行记忆体细胞群组及列记忆体细胞群组；行记忆体细胞群组中NMOS控制电容源极区、漏极区均与相应的导电字线电极WL相连；列记忆体细胞群组中第二P型区域均与导电字线WLPW相连；列记忆体细胞群组中的PMOS访问晶体管源极区均与相应的导电位线电极BL，列记忆体细胞群组中的PMOS访问晶体管漏极区均与相应的导电位线电极BY相连；列记忆体细胞群组中的第一N型区域均与导电位线N阱电极BLNW相连；列记忆体细胞群组中NMOS编程晶体管源极区、NMO

专利类型：发明专利

专利号：CN201210039573.6

专利申请（专利权）人：无锡来燕微电子有限公司

专利发明（设计）人：方英娇

主权项：一种与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体阵列，其特征是：包括由若干记忆体细胞（200）组成的行记忆体细胞群组及列记忆体细胞群组；记忆体细胞（200）位于所述半导体基板（201）内的上部，所述记忆体细胞（200）包括PMOS访问晶体管（210）、NMOS编程晶体管（230）及NMOS控制电容（220）；所述PMOS访问晶体管（210）、NMOS编程晶体管（230）与NMOS控制电容（220）间通过半导体基板（201）内的领域介质区域（214）相互隔离；所述记忆体细胞（200）通过半导体基板（201）内的第

专利地区：江苏