一种铜铟镓合金及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种铜铟镓合金及其制备方法

摘要：本发明公开了一种铜铟镓合金及其制备方法，该合金由Cu51wt%、In39wt%以及In10%组成，且该合金的核心相为Cu3Ga和Cu11In9。所述方法以高纯度的铜、铟和镓为原料，通过高真空熔炼的方法，获得了铜铟镓合金。本发明的铜铟镓合金纯度高，且配方合理、新颖，可作为溅射靶材或蒸发料，一步镀膜形成CuInGa层，然后再通过硒化或硫化的方法生成CIGS薄膜，并且该铜铟镓合金可通过非常简便的方法获得。本发明的铜铟镓合金的制备方法简单，且获得的铜铟镓合金的成分及组织均匀。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210039988.3

专利申请（专利权）人：苏州晶纯新材料有限公司

专利发明（设计）人：钟小亮;王广欣;王树森

主权项：?一种铜铟镓合金，其特征在于：该合金由Cu?51wt%、In39wt%以及In10%组成，且杂质元素重量含量满足：Ag<15ppm?、Ni<10ppm?、C<50ppm?、O<600ppm、?Cd<10ppm?、Pb<15ppm?、Co<10ppm?、Sn<25ppm?、Cr<10ppm?、Ti<15ppm?、Fe<10ppm?、V<10ppm、?Hg<10ppm?、Zn<10ppm?、Mn<10ppm、?N<50ppm，该合金的核心相为Cu3Ga和Cu11In9。

专利地区：江苏