铟类纳米线、氧化物纳米线与导电性氧化物纳米线以及它们的制造方法专利登记公告

专利名称：铟类纳米线、氧化物纳米线与导电性氧化物纳米线以及它们的制造方法

摘要：本发明涉及铟类纳米线、氧化物纳米线与导电性氧化物纳米线以及它们的制造方法，所述铟类纳米线及导电性氧化物纳米线适用于各种透明导电膜的导电填料和纳米配线等，平均粗细在500nm以下，具有平均长度对平均粗细之比(长径比)在30以上的线形状。本发明涉及的铟类纳米线的制造方法，其特征在于，使以上述铟的低卤化物作为主成分的粒子在非水类溶剂中发生岐化反应，得到以金属铟作为主成分的纳米线。本发明的导电性氧化物纳米线，可对进一步掺杂了掺杂金属的上述铟类纳米线进行加热氧化处理，或在由上述铟类纳米线得到的氧化铟纳米线中掺杂掺杂

专利类型：发明专利

专利号：CN201210040531.4

专利申请（专利权）人：住友金属矿山株式会社

专利发明（设计）人：行延雅也

主权项：一种铟类纳米线的制造方法，其特征在于，使以铟的低价的卤化物作为主成分的粒子在非水类溶剂中进行岐化反应，得到以金属铟作为主成分的纳米线。

专利地区：日本