三维封装用金属间化合物填充的垂直通孔互连结构及制备方法专利登记公告

专利名称：三维封装用金属间化合物填充的垂直通孔互连结构及制备方法

摘要：本发明涉及一种三维封装用金属间化合物填充的垂直通孔互连结构及制备方法，其包括衬底，所述衬底内设有至少一个垂直贯通穿透衬底的通孔；所述通孔的内壁生长有绝缘层，并在所述生长绝缘层的通孔内填充有金属间化合物层，所述金属间化合物层与绝缘层间设有粘附层。本发明衬底内设有至少一个垂直贯通的通孔，通孔的内壁上生长有绝缘层，并在通孔内填充金属间化合物层，金属间化合物层与绝缘层间具有粘附层；通过金属间化合物层能够完成三维堆叠中所需的电连接，整个形成制作过程方便，降低了工艺复杂度及制作成本；从而能够在集成电路上制作垂直互连结

专利类型：发明专利

专利号：CN201210041014.9

专利申请（专利权）人：江苏物联网研究发展中心

专利发明（设计）人：于大全

主权项：一种三维封装用金属间化合物填充的垂直通孔互连结构，包括衬底（10），所述衬底（10）内设有至少一个垂直贯通穿透衬底（10）的通孔（12）；其特征是：所述通孔（12）内由垂直方向连续的金属间化合物（40）填充，所述金属间化合物层（40）与衬底（10）间设有粘附层（30）。

专利地区：江苏