铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法

摘要：一种铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法，属于高介电常数高分子复合材料领域。是将铜酞菁齐聚物化学接枝到聚合物上，然后利用溶液浇铸法制备铜酞菁齐聚物/聚合物复合薄膜。聚合物为带有PVDF基团的聚合物、聚氨酯、环氧树脂、丙烯酸树脂弹性体或聚对氯甲基苯乙烯之任一种。PVDF基聚合物需要在接枝前增加活性苄氯基团。利用该方法制备的复合薄膜均匀致密，具有较好的柔韧性，且铜酞菁齐聚物含量为15%时，复合物在室温及100Hz频率下的介电常数高达400以上，介电损耗低于0.24，性能远高于通常的铁电陶瓷/聚合物

专利类型：发明专利

专利号：CN201210041612.6

专利申请（专利权）人：南京航空航天大学

专利发明（设计）人：王经文;李淑琴

主权项：一种铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于：先将铜酞菁齐聚物化学接枝到聚合物上，然后利用溶液浇铸法制备铜酞菁齐聚物/聚合物复合薄膜，该薄膜介电常数在室温下100Hz时为400以上，介电损耗低于0.24。

专利地区：江苏