一种提高碳纳米管阴极场致电子发射性能的后处理方法专利登记公告

专利名称：一种提高碳纳米管阴极场致电子发射性能的后处理方法

摘要：本发明公开了一种提高碳纳米管阴极场致电子发射性能的后处理方法，通过磁场后处理，使阴极表面碳纳米管磁性极化而发生取向，使得阴极表面碳纳米管垂直于衬底表面，从而使碳纳米管阴极的场致电子发射性能得到显著改善，即使碳纳米管薄膜的电流密度提高1倍，阈值强度降低30%以上，电子发射点密度可提高1个数量级以上且均匀性明显提高，本发明的方法简单有效，全面提高碳纳米管阴极的场发射性能，具备显著的经济和社会效益。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210041775.4

专利申请（专利权）人：福州大学

专利发明（设计）人：叶芸;郭太良;林金阳;胡利勤;郭凡;洪春燕;蔡寿金

主权项：一种提高碳纳米管阴极场致电子发射性能的后处理方法，其特征在于：所述的后处理方法为采用强磁场对阴极表面的碳纳米管进行磁化和取向，使得表面的碳纳米管垂直于衬底表面。

专利地区：福建