发光二极管装置的制造方法专利登记公告

专利名称：发光二极管装置的制造方法

摘要：本发明提供一种发光二极管装置的制造方法，其包括：准备发光层叠体的工序，该发光层叠体具有光半导体层及形成在光半导体层之上的电极部；在光半导体层之上以覆盖电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；通过以暴露出电极部的上表面的方式局部除去密封树脂层，从而制造发光二极管元件的工序；使发光二极管元件和设有端子的底部基板相对配置且将电极部和端子电连接起来，从而以倒装法将发光二极管元件安装在上述底部基板上的工序。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210042778.X

专利申请（专利权）人：日东电工株式会社

专利发明（设计）人：伊藤久贵;井上泰史;三隅贞仁

主权项：一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：准备发光层叠体的工序，该发光层叠体具有光半导体层及形成在上述光半导体层之上的电极部；在上述光半导体层之上以覆盖上述电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；通过以暴露出上述电极部的上表面的方式局部除去上述密封树脂层来制造发光二极管元件的工序；使上述发光二极管元件和设有端子的底部基板相对配置且将上述电极部和上述端子电连接起来，从而以倒装法将上述发光二极管元件安装到上述底部基板上的工序。

专利地区：日本