CMOS图像传感器专利登记公告
专利名称:CMOS图像传感器
摘要:本发明提供一种CMOS图像传感器,采用包括红外光像元结构及可见光像元结构两种不同的像元结构,在省电模式下只有红外感知的图像传感器工作,将红外感知的像元输出的信号通过比较器与一预设阀值进行比较,若大于所述预设阀值,则打开与其相对应的可见光像元结构进行感光读出。本发明的CMOS传感器能够工作在省电模式下,结构简单,能够降低CMOS传感器的功耗,并提高CMOS传感器对红外光的感知能力。
专利类型:发明专利
专利号:CN201210042867.4
专利申请(专利权)人:上海中科高等研究院
专利发明(设计)人:田犁;汪辉;陈杰;方娜;苗田乐
主权项:一种CMOS图像传感器,其特征在于,至少包括:感光阵列,包括多个由一红外光像素单元及至少一可见光像素单元组成的感光模块,各该感光模块中的红外光像素单元藉由一第一总线连接,所述红外光像素单元用于在接收到第一扫描信号时将红外光信号转换成电信号输出,各该感光模块中的可见光像素单元藉由一第二总线连接,可见光像素单元用于在接收到第二扫描信号时将可见光信号转换成电信号输出;比较模块,连接所述第一总线,用于在检测到任一感光模块中的红外光像素单元所输出的电信号大于一预设阀值时,输出控制信号;扫描模块,连接所述第一总线、第
专利地区:上海
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