在基底表面上沉积纳米点阵的方法专利登记公告

专利名称：在基底表面上沉积纳米点阵的方法

摘要：本发明涉及一种在基底表面上沉积纳米点阵的方法，属于纳米材料制备领域。该方法是将清洗好的基片放入溅射仪中，再将溅射靶材安装于溅射仪中；抽真空，控制溅射气压、溅射电流、溅射功率、以及控制溅射时间，即可在所述基片上沉积所需纳米点阵。本发明方法是根据薄膜的岛状生长模式，利用溅射仪在基片的表面上沉积纳米点阵；无需掩膜板、其制备工艺简单、制备快捷、可控性高；沉积的纳米点阵质量高；适用于纳米电子和纳米光电子领域；具有较大的应用价值。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210042886.7

专利申请（专利权）人：成都精密光学工程研究中心;四川大学

专利发明（设计）人：马平;孙平;陈松林;蒲云体;朱基亮

主权项：一种利用溅射仪在基底表面上沉积纳米点阵的方法，其特征在于包括以下工艺步骤：(1)基片的清洗按甲苯、丙酮、酒精、去离子水的顺序，分别将基片超声振荡清洗干净，再将清洗干净的基片放入溅射仪中；(2)安装溅射靶材将需要溅射的靶材安装于溅射仪中，安装好后开始抽真空，当真空度达到2～10?5Pa时，通入气氛；(3)调节好溅射参数，沉积纳米点阵；采用溅射仪，将溅射气压调节为0.1～6Pa，溅射功率调节为10?20W，溅射电流调节为3～6mA；将溅射时间控制在2?5秒；然后进行溅射，实现在基片表面上沉积纳米颗粒，即纳米点

专利地区：四川