低损耗微波介质陶瓷专利登记公告
专利名称：低损耗微波介质陶瓷
摘要：本发明涉及用于介质谐振器、滤波器及振荡器等微波通讯系统中的微波介质陶瓷。它的表达式为xSrO?yLn2O3?zAl2O3的低损耗微波介质陶瓷。其中Ln=La,Nd或Sm，25.0mol%≤x≤44.0mol%，25.0mol%≤y≤44.0mol%，25.0mol%≤z≤44.0mol%，且x+y+z=100%。本发明提供的微波介质陶瓷介电常数为18~25，Qf>85,000GHz，同时具有近零谐振频率温度系数。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210043013.8
专利申请（专利权）人：浙江大学
专利发明（设计）人：陈湘明;易磊
主权项：低损耗微波介质陶瓷，其特征是它的表达式为xSrO?yLn2O3?zAl2O3，其中Ln?=?La,?Nd或Sm，25.0mol%≤x≤44.0mol%，25.0mol%≤y≤44.0mol%，25.0mol%≤z≤44.0mol%，且x+y+z=100%。
专利地区：浙江
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