一种带隙基准电压源专利登记公告

专利名称：一种带隙基准电压源

摘要：本发明公开了一种带隙基准电压源，包括启动电路、核心带隙基准电路和高阶补偿电路，其中，核心带隙基准电路包括：PMOS管M1、M2、M3，NPN三极管Q1、Q2，以及电阻单元R1、RB1、RB2、RA；高阶补偿电路包括：PMOS管M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11，NPN三极管Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8，以及电阻单元R2、R3。本发明的带隙基准电压源采用了高阶补偿电路极大的降低温度系数，并且在电路中利用了电阻比例，因而不受电阻绝对值的影响，降低了电阻温度系数对输出量的影响。本发明的带隙

专利类型：发明专利

专利号：CN201210043266.5

专利申请（专利权）人：电子科技大学

专利发明（设计）人：周泽坤;张竹贤;徐祥柱;石跃;黄建刚;邱实;明鑫;张波

主权项：一种带隙基准电压源，其特征在于，包括启动电路、核心带隙基准电路和高阶补偿电路，其中，核心带隙基准电路包括：PMOS管M1、M2、M3，NPN三极管Q1、Q2，以及电阻单元R1、RB1、RB2、RA；高阶补偿电路包括：PMOS管M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11，NPN三极管Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8，以及电阻单元R2、R3；具体连接关系如下：PMOS管M1、M2的源极接外部电源，PMOS管M1的栅极与漏极都连接到PMOS管M2管的栅极以及三极管Q1的集电极并且连接到高阶补偿电路PM

专利地区：四川