基于化学气相沉积法制备形貌可控的纳米铜硫化合物的方法专利登记公告

专利名称：基于化学气相沉积法制备形貌可控的纳米铜硫化合物的方法

摘要：本发明属于半导体材料制备技术领域，具体为基于化学气相沉积法制备形貌可控的铜硫化合物纳米晶体的方法。本发明采用化学气相沉积法，通过控制反应体系的温度、压力以及产物收集区域，实现硫化铜纳米晶体、纳米棒、纳米薄片以及纳米花簇多种不同形貌的铜硫化物的制备；具体步骤包括：①固体前驱物的进样，②体系压力、温度的控制以及气体前驱物的通入，③产物的收集。由本发明制备的铜硫化合物具有单分散性好，样品纯度高等特点。本发明也可用于制备其他金属半导体如硫化物、硒化物以及碲化物等，通过体系反应条件的改变，调控产物的形貌，进而应用于

专利类型：发明专利

专利号：CN201210043760.1

专利申请（专利权）人：复旦大学

专利发明（设计）人：郑耿锋;胥明;吴昊宇

主权项：一种基于化学气相沉积法制备形貌可控的铜硫化合物的方法，其特征在于：采用化学气相沉积法，通过控制反应体系的温度、压力以及产物收集区域位置，实现硫化铜纳米晶体、纳米棒、纳米薄片以及纳米花簇多种不同形貌的铜硫化物的制备，具体步骤为：①固体前驱物的进样：将铜源放入石英舟，置于反应区中央；将硫源放入石英舟，置于反应区前端；将产物收集载体置于反应区下游适当的位置；②体系压力的控制以及气体前驱物的通入：首先，用氩气对整个反应体系进行清洗，接着继续通氩气使体系压力升高到目标值；待体系温度升高到设定值时，向体系内通入一定量

专利地区：上海