一种石墨烯润滑薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：一种石墨烯润滑薄膜的制备方法

摘要：本发明公开一种石墨烯润滑薄膜的制备方法，在羟基化处理的单晶硅基片表面采用自组装方法制备氨基硅烷偶联剂薄膜，用溶液浸渍法在其表面制备氧化石墨烯（grapheneoxide,GO）薄膜并通过热还原得到石墨烯润滑薄膜。其特点是仪器设备简单，成本低，制备过程简单易操作。得到的石墨烯薄膜厚度1~2nm。摩擦、磨损试验结果表明：本发明所涉及的石墨烯润滑薄膜与单晶硅基片具有很好的结合性能，并且具有良好的减摩、抗磨性能，有望成为解决微型机械中材料的保护和润滑为题的有效手段。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210043960.7

专利申请（专利权）人：南昌航空大学

专利发明（设计）人：欧军飞;王法军;薛名山;李文

主权项：?一种石墨烯润滑薄膜的制备方法，其特征在于主要包括以下步骤：（1）配制氨基硅烷偶联剂稀溶液：选取氨基硅烷偶联剂，溶解于体积比为丙酮：水=95：5的混合溶剂，配制氨基硅烷偶联剂稀溶液；（2）单晶硅表面氨基硅烷偶联剂自组装：将单晶硅基片浸于体积比为H2SO4：H2O2=7：3的溶液中，于90℃下处理0.5~1小时，用超纯水超声清洗后用氮气吹干，然后将其浸入上述配制的氨基硅烷偶联剂稀溶液中，静置0.5~1小时取出，在超纯水中超声清洗后用氮气吹干，得到表面组装有氨基硅烷偶联剂薄膜的单晶硅基片；所述H2SO4为质量

专利地区：江西