二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置专利登记公告

专利名称：二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置

摘要：二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置，属于微细加工工艺装置领域。装置由绝缘衬底、列电极、介质层、公共电极与扫描电极组成；在绝缘衬底设置平行的列电极，列电极上覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上设置公共电极与扫描电极，公共电极与扫描电极相互平行，并与列电极的排列方向互相垂直；公共电极与扫描电极均呈S型，相邻的公共电极与扫描电极形成狭缝与微腔，公共电极与扫描电极相互间隔分布形成二维微腔阵列；制备方法采用薄膜或厚膜工艺逐层制作而成；本发明通过各电极之间的互相配合直接产生光刻图案既克服了微细加工中光刻掩模版的高成本，同时

专利类型：发明专利

专利号：CN201210044026.7

专利申请（专利权）人：山东大学

专利发明（设计）人：孟令国;邢建平;蒋然;张锡健

主权项：一种二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置，由绝缘衬底、若干个列电极、介质层、若干个公共电极与若干个扫描电极组成，其特征在于：绝缘衬底位于该装置的最底部，列电极设置在绝缘衬底上，列电极上覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上设置公共电极与扫描电极，公共电极与扫描电极相互平行，并且间隔分布，同时与列电极的排列方向互相垂直；公共电极的所有电极连接到引线电极上引出，每一根扫描电极分别引出；公共电极与扫描电极的形状均呈S型，相邻的公共电极与扫描电极之间形成狭缝和微腔，公共电极与扫描电极相互间隔分布形成二维微腔阵列；列电极之间

专利地区：山东