一种评估功率VMOS管寿命以及可靠性的分析方法专利登记公告

专利名称：一种评估功率VMOS管寿命以及可靠性的分析方法

摘要：一种评估功率VMOS管寿命以及可靠性的分析方法，该方法有四大步骤：步骤一、将功率VMOS管建模并且建立H桥仿真电路；步骤二、H桥电路的无故障仿真；步骤三、H桥电路阈值电压退化仿真；步骤四、综合分析得出实际应用中的结论。本发明将实际应用中极其常见的功率VMOS管H桥驱动电路进行仿真，分析主要是原因阈值电压退化漂移，并利用数学原理对功率VMOS管的各项参数进行分析计算，得出结论。其构思科学，方法新颖。它在功率半导体器件安全测试技术领域里具有较好的实用价值和良好的应用前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210044604.7

专利申请（专利权）人：北京航空航天大学

专利发明（设计）人：王香芬;付桂翠;高成;黄姣英

主权项：一种评估功率VMOS管寿命以及可靠性的分析方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：步骤一、将功率VMOS管建模并且建立H桥仿真电路；具体实现过程是：步骤一.1：选取某一种型号的功率VMOS管并根据其数据手册datasheet中各项参数建模；步骤一.2：建立H桥仿真电路核心部分H桥；步骤一.3：添加外围器件得到具有使能控制和方向逻辑的H桥电路；步骤二、H桥电路的无故障仿真；具体实现过程是：步骤二.1：搭建三角波发生电路；步骤二.2：用三角波比较法产生PWM波形，调制的波形进行电平移位；步骤二.3：经过电平移位

专利地区：北京