一种硅基焦平面器件的读取方法专利登记公告

专利名称：一种硅基焦平面器件的读取方法

摘要：本发明涉及一种硅基焦平面器件的读取方法，采用了如下读出电路，该读出电路包含焦平面阵列电路、垂直移位寄存器、组选移位寄存器和多路选择开关等主要部分。本发明所设计的读出电路结构由于采用了新颖的读出方式，使得电路后端需要的放大器和积分器的数目大大减少，从而减少了读出电路的复杂性，也使得读出电路芯片的引脚数得以大大减少。该读出电路结构还避免了由于器件制造过程中产生的不一致性给读出的电压信号带来的误差。本发明的电路结构可以应用到以硅为衬底材料的焦平面下面做电路的读出电路结构中去，其可移植性很强，适合于任何规模阵列的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210045860.8

专利申请（专利权）人：张康

专利发明（设计）人：张康

主权项：一种硅基焦平面器件的读取方法，其特征在于，采用了如下读出电路，包括：1）焦平面阵列电路：完成光电信号的转换；2）垂直移位寄存器：产生行选信号，在行选信号的控制下，选通一行的像素单元；3）组选移位寄存器：产生列选信号，通过选通几列的行选后的信号到多路选择开关中；4）多路选择开关：把选通的像素单元按照一定的规律输出；其中，所述电路的工作时序如下：电路以一个帧时作为重复的工作周期，一个帧时是指焦平面阵列中所有的像素单元都要进行一次选通；电路首先进行行选从第一行到最后一行依次进行选通；在每一行的行选信号有效期间，

专利地区：浙江