多功能图像传感器及其制作方法专利登记公告

专利名称：多功能图像传感器及其制作方法

摘要：本发明涉及图像传感器领域，公开了一种多功能图像传感器及其制作方法。本发明中，在传统的CMOS图像传感器的基础上，增加了新的掺杂区，与感光器件表面上的一个掺杂区形成发光二极管结构，使CMOS图像传感器同时具有感光和发光的功能。在衬底上形成转移晶体管的栅极，可以进一步地提高图像传感器的集成度。第二区域为P型半导体可以提高光敏感性，消除表面态和表面缺陷引起的暗电流，从而减小热噪声。第二区域和第一区域之间的PN结构成图像传感器的感光器件，第二区域的掺杂浓度远大于第一区域的掺杂浓度，这样可以使耗尽层更厚，使光线吸收

专利类型：发明专利

专利号：CN201210046954.7

专利申请（专利权）人：上海中科高等研究院

专利发明（设计）人：苗田乐;陈杰;汪辉;方娜;田犁

主权项：一种多功能图像传感器，其特征在于，包括：第一类型半导体的衬底，该衬底上有第二类型半导体的第一区域，在该第一区域中有第一类型半导体的第二区域和第二类型半导体的第三区域；第一区域的掺杂浓度高于衬底的掺杂浓度，第二区域和第三区域的掺杂浓度高于第一区域的掺杂浓度；从第二区域和第三区域分别引出与外部发光二极管驱动电路相连的电极，第二区域作为感光器件的输出端与实现图像传感器功能的其它电路连接。

专利地区：上海