一种钨单晶的制备方法专利登记公告

专利名称：一种钨单晶的制备方法

摘要：本发明提供了一种钨单晶的制备方法，该方法是在熔融盐中通过电化学法制备钨单晶的：以熔融的Na2WO4与WO3为熔盐介质，在700到1000摄氏度的空气气氛下，将高纯多晶钨板作为对电极，一般性金属如铜、钢或非金属如石墨等为单晶生长的基体，同时也作为工作电极，然后施加电流，通过调整电流和电镀时间获得钨单晶。本发明工艺方法简单、设备要求简单，操作方便，成本低廉，合成条件易于控制。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210047526.6

专利申请（专利权）人：北京科技大学

专利发明（设计）人：张迎春;刘艳红

主权项：一种钨单晶的制备方法，其特征在于，所述制备在熔融盐中进行的，步骤包括：1.1熔盐介质的配置：所述熔盐介质为Na2WO3?WO3，按照摩尔百分比，取50%~90%的Na2WO3与10%~50%的WO3充分干燥后混合均匀，放入坩埚中，在空气气氛中升温到700~1000℃；1.2单晶生长基体和对电极的表面预处理：单晶生长基体和对电极表面用不同粗细的砂纸进行表面打磨，然后抛光，获得光滑的表面，然后分别用丙酮和去离子水超声清洗，去除表面的油污和杂质；1.3在空气气氛下施加电流调整电流参数和电镀时间：施加的电流为脉冲

专利地区：北京