具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路专利登记公告

专利名称：具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路

摘要：本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路，包括一单电子晶体管SET及一PMOS管，所述的PMOS管的源极与SET的源极相连，SET的栅极则与PMOS管的漏极相连，该SET的漏源两端电压Vds必须满足|Vds|

专利类型：发明专利

专利号：CN201210047925.2

专利申请（专利权）人：福州大学

专利发明（设计）人：魏榕山;陈寿昌;陈锦锋;何明华

主权项：一种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路，其特征在于：包括一单电子晶体管SET及一PMOS管，其中单电子晶体管SET由两个隧穿结通过库仑岛串联而成，外加的偏置电压由栅极电容耦合到库仑岛上，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连，单电子晶体管SET的栅极与PMOS管的漏极相连。

专利地区：福建