基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元专利登记公告

专利名称：基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元

摘要：本发明涉及一种基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元，其特征在于：包括一NMOS管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR电路以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET-MOS电路；该NDR电路和该SET-MOS电路串联，所述的NMOS管的漏极连接至该NDR电路和该SET-MOS电路之间。该结构的重点是利用SET与CMOS组成的混合电路产生两种变化方向相反的NDR特性，并利用该特性构成两个用于存储电压值的稳态点，实现存储的功能。本发明采用的基于负微分电阻特性的混合SET/CM

专利类型：发明专利

专利号：CN201210048006.7

专利申请（专利权）人：福州大学

专利发明（设计）人：魏榕山;陈寿昌;陈锦锋;何明华

主权项：一种基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元，其特征在于：包括一NMOS传输管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR电路以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET?MOS电路；该NDR电路和该SET?MOS电路串联，所述的NMOS传输管的漏极连接至该NDR电路和该SET?MOS电路之间。

专利地区：福建