基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器专利登记公告

专利名称：基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器

摘要：本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于负微分电阻特性的混合SETCMOS?D触发器，该结构的重点是利用SET与CMOS组成的混合电路产生两种变化方向相反的NDR特性，并利用该特性构成两个用于存储电压值的稳态点，实现锁存器的功能,并通过级联两个锁存器实现D触发器功能。与传统的D触发器相比，本发明采用的基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS?D边沿触发器极大的降低了电路的功耗，并提高了电路的集成度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210048026.4

专利申请（专利权）人：福州大学

专利发明（设计）人：魏榕山;陈寿昌;陈锦锋;何明华

主权项：一种基于负微分电阻特性的混合SETCMOS?D触发器，其特征在于，包括：?一第一锁存器，其包括一NMOS传输管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR1以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET?MOS1，所述的NDR1和SET?MOS1串联，所述NMOS管的漏极连接至该NDR1和SET?MOS1之间；一第二锁存器，其包括一PMOS传输管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR2以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET?MOS2，所述的NDR2和SET?MOS2串联，所述

专利地区：福建