气敏电阻材料及其制备方法专利登记公告
专利名称：气敏电阻材料及其制备方法
摘要：本发明提供一种气敏电阻材料及其制备方法，该材料为以下通式的化合物：RFe2O4(RFeO3)n，其中R为Y、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或In，n等于0或1。本发明使用上述材料充当探测电阻丝，抗腐蚀，耐高温，响应时间快(响应时间为秒的量级)，制备工艺简单，具有很宽广的工作温区(-50℃～200℃)。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210048461.7
专利申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
专利发明（设计）人：曹石;李俊;秦元斌;杨槐馨;李建奇
主权项：一种气敏电阻材料，该材料为以下通式的化合物：RFe2O4(RFeO3)n，其中R为Y、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或In，n等于0或1。
专利地区：北京
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