一种集成电路金属互连结构及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种集成电路金属互连结构及其制备方法

摘要：本发明公开了一种集成电路金属互连结构及其制备方法。本发明利用石墨烯本身独特的分子结构和电学特性，在集成电路金属互连结构的上层金属连线上表面包覆石墨烯覆盖层。由于石墨烯的抗电迁移电流密度可以达到109A/cm2，在金属导线内一旦由于电迁移出现小空洞的时候，电流就有可能通过包覆在金属导线表面的石墨烯来传导，从而有效降低金属互连线中空洞的生长速率，提高金属互连线的抗电迁移能力及其寿命，同时包覆在金属互连线表面的石墨烯也可以有效阻止晶须的生长，从而降低因晶须生长而导致短路的风险；另外，此石墨烯覆盖层可有效隔绝金属

专利类型：发明专利

专利号：CN201210048477.8

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：魏芹芹;尹金泽;曹宇;崔晓锐;魏子钧;赵华波;傅云义;黄如;张兴

主权项：一种集成电路金属互连结构，包括上、下层金属互连线以及连接上下层金属互连线的通孔，其特征在于，在上层金属互连线的表面覆盖单层或多层石墨烯。

专利地区：北京