半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：一种半导体装置，包括：第一装置区域，其形成在半导体衬底上并且由装置隔离区域限定；第一晶体管，其包括形成在第一装置区域上的第一栅极电极、在栅极电极的第一侧上形成在第一装置区域中的第一源极区域、以及在第一栅极区域的第二侧上形成在第一装置区域中的第一漏极区域；第一图案，其在第一栅极电极的第一侧上形成在装置隔离区域上，并与第一栅极电极平行；第一导体插头，其连接到第一源极区域。第一导体插头电连接到接地线和电源线中的一者，并且第一图案电连接到接地线和电源线中的另一者。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210048816.2

专利申请（专利权）人：富士通半导体股份有限公司

专利发明（设计）人：冈田洋和

主权项：一种半导体装置，包括：第一装置区域，其形成在半导体衬底中并且由装置隔离区域限定；第一导电样式的第一晶体管，其包括形成在所述第一装置区域上的第一栅极电极、在所述第一栅极电极的第一侧上形成在所述第一装置区域中的第一源极区域、以及在所述第一栅极区域的第二侧上形成在所述第一装置区域中的第一漏极区域；第一图案，其在所述第一栅极电极的第一侧上形成在所述装置隔离区域上，并与所述第一栅极电极平行；绝缘区域，其形成在所述半导体衬底上方，并覆盖所述第一晶体管和所述第一图案；以及第一导体插头，其埋入到第一接触孔中以向下到达所述

专利地区：日本