电平转移电路专利登记公告

专利名称：电平转移电路

摘要：本发明涉及一种电平转移电路，包括P型晶体管P1和P型晶体管P2，P型晶体管P1和P型晶体管P2的栅极之间设有反相器INV，所述P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N1的漏极和N1的栅极，且N型晶体管N1的栅极连接所述N型晶体管N4的栅极，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N2的漏极和N2的栅极，且N型晶体管N2的栅极连接所述N型晶体管N3的栅极。本发明所述电路，不但可采用小型器件并且与工艺变化无关，而且可以改善电路速度；再者，本发明采用对称的结构布图，因此布图的速度将更快、更容易；而且设计者能够交替绘图，且

专利类型：发明专利

专利号：CN201210048972.9

专利申请（专利权）人：苏州瀚瑞微电子有限公司

专利发明（设计）人：保罗·格兰德维兹

主权项：一种电平转移电路，包括P型晶体管P1和P型晶体管P2，所述P型晶体管P1的源极和P型晶体管P2的源极分别连接电源VDD，P型晶体管P1的栅极连接输入引脚IN，P型晶体管P1和P型晶体管P2的栅极之间设有反相器INV，P型晶体管P1的漏极为输出通道OUT1，其特征在于：所述P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N1的漏极和N1的栅极，且N型晶体管N1的栅极连接所述N型晶体管N4的栅极，N型晶体管N1的源极连接N型晶体管N3的漏极，N型晶体管N3的源极连接源极电源VSS；P型晶体管P2的漏极为输出通道OUT2，P

专利地区：江苏