一种硅系无卤阻燃PC的配方及其制作方法专利登记公告

专利名称：一种硅系无卤阻燃PC的配方及其制作方法

摘要：本发明公开了一种硅系无卤阻燃PC的配方，该配方组份为：PC83－90份、聚硅氧烷类阻燃剂6－10份、抗氧化剂0.2-1份、润滑剂0.5-1份、MBS3－5份、其它加工助剂0.5-1份。本发明还公开了一种硅系无卤阻燃PC的制作方法，它包括以下步骤：选取PC原料，然后烘料；将PC原料搅拌，然后加入硅油搅拌，加入抗氧化剂、润滑剂及其它加工助剂搅拌，加入MBS搅拌，最后加入聚硅氧烷类阻燃剂搅拌，得到半成品；将半成品进行挤出，然后进行冷却，最后进行切粒，得到成品。本发明生产出来的阻燃PC材料不仅颜色好、性能好，耐温

专利类型：发明专利

专利号：CN201210049612.0

专利申请（专利权）人：杨谢

专利发明（设计）人：杨谢;程文

主权项：一种硅系无卤阻燃PC的配方，其特征是该配方组份为：PC?83－90份、聚硅氧烷类阻燃剂6－10份、抗氧化剂?0.2?1份、润滑剂?0.5?1份、MBS?3－5份、其它加工助剂0.5?1份。

专利地区：江苏