一种负磁导率超材料专利登记公告

专利名称：一种负磁导率超材料

摘要：本发明涉及一种负磁导率超材料，所述超材料包括介质基板以及阵列在介质基板上的微结构，所述微结构由四个相同的微结构单元构成，所述任一微结构单元绕同一旋转轴旋转90°、180°、270°后分别与其它三个微结构单元重合，所述微结构单元由一根金属线通过多重绕线的方式形成多重嵌套的凹形开口谐振环或开口谐振环的衍生结构。在实现负磁导率的前提下，采用本发明可以有效降低超材料的谐振频率，制成符合各向同性的超材料，因此本发明对于超材料产业的发展具有重要意义。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210050584.4

专利申请（专利权）人：深圳光启创新技术有限公司

专利发明（设计）人：刘若鹏;赵治亚;郭洁;余铨强

主权项：一种负磁导率超材料，所述超材料包括介质基板以及固定在介质基板上的微结构层，所述微结构层由多个微结构阵列而成，其特征在于，所述微结构由四个相同的微结构单元构成，所述任一微结构单元绕同一旋转轴旋转90°、180°、270°后分别与其它三个微结构单元重合，所述微结构单元由一根金属线通过多重绕线的方式形成多重嵌套的凹形开口谐振环。

专利地区：广东