MEMS扩音器专利登记公告

专利名称：MEMS扩音器

摘要：本发明涉及MEMS扩音器。提供了一种由于减小的DC漏电流而具有改善的噪声性能的MEMS扩音器。为此，保持MEMS扩音器的信号线与其它传导结构之间的最小距离。此外，提供了将信号线的至少一部分围起来的DC保护结构。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210051207.2

专利申请（专利权）人：埃普科斯股份有限公司

专利发明（设计）人：W. 帕尔;A. 莱德尔;M. 容孔茨;A. 贝尔

主权项：一种MEMS扩音器，—包括具有信号输出端的MEMS换能器、具有信号输入端的IC芯片、衬底、信号线和传导结构，其中—MEMS换能器和IC芯片被布置在衬底上，—信号线将MEMS换能器的信号输出端与IC芯片的信号输入端电连接，—由IC芯片经由信号线向MEMS换能器提供DC偏置电压，—传导结构被电连接至不同于DC偏置电压的DC电位，以及—信号线与传导结构之间的最小横向距离被保持在至少200μm。

专利地区：德国