一种基于垂直取向石墨烯的超级电容器电极及其制作方法专利登记公告
专利名称:一种基于垂直取向石墨烯的超级电容器电极及其制作方法
摘要:本发明公开了一种基于垂直取向石墨烯的超级电容器电极及其制作方法。电极由集流体和石墨烯纳米片组成,石墨烯纳米片垂直于集流体表面,每片石墨烯纳米片均有由1~10层石墨烯组成。制作过程中,加热集流体至600~1000oC,以含碳元素气体作为前驱物气体产生等离子体,将集流体放置在等离子体内,通过等离子体增强化学气相沉积法,在集流体表面直接生长垂直取向石墨烯纳米片,生长5分钟~8小时后,所得表面长有垂直取向石墨烯纳米片的集流体即为超级电容器电极。本发明可实现以垂直取向石墨烯为活性材料的超级电容器电极一步式制作,避免
专利类型:发明专利
专利号:CN201210051348.4
专利申请(专利权)人:浙江大学
专利发明(设计)人:薄拯;岑可法;严建华;王智化;池涌
主权项:一种基于垂直取向石墨烯的超级电容器电极,其特征在于:该电极由集流体(1)和石墨烯纳米片(2)组成,石墨烯纳米片垂直于集流体表面,每片石墨烯纳米片均有由1~10层石墨烯组成。
专利地区:浙江
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目,不代表该专利由我公司代理取得,上述专利权利属于专利权人,未经(专利权人)许可,擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利,请搜索专利权人联系方式,获得专利权人的授权许可。