一种同轴谐振器产品微放电阈值的设计方法专利登记公告

专利名称：一种同轴谐振器产品微放电阈值的设计方法

摘要：本发明公开了一种同轴谐振器产品微放电阈值的设计方法，包括根据电性能要求设计同轴谐振器产品的电路模型的步骤；根据电路模型实现同轴谐振器产品实现结构，并对实现结构进行全波电磁仿真验证的步骤；确定实现结构中微放电风险敏感区域的步骤；利用微放电敏感曲线确定同轴谐振器微放电阈值功率的步骤；对微放电阈值功率进行判断完成或更改实现结构的步骤。采用本发明可以准确估计同轴谐振器产品的微放电阈值，降低了同轴谐振器产品的设计成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210051829.5

专利申请（专利权）人：西安空间无线电技术研究所

专利发明（设计）人：禹旭敏;唐丹;汪娟;殷新社;张俊

主权项：一种同轴谐振器产品微放电阈值的设计方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1：根据电性能要求设计以同轴谐振器为基本单元的产品电路模型；所述电性能指标包括同轴谐振器产品的微波状态指标和工作状态指标；步骤2：根据电路模型实现同轴谐振器产品的结构形式，并对结构形式进行全波电磁仿真验证；步骤3：确定通过步骤2验证的结构形式的微放电风险敏感区域；步骤4：采用同轴谐振器微放电敏感曲线，并根据步骤3中确定的微放电风险敏感区域的物理间隙尺寸d和通过该区域的工作频率f，确定同轴谐振器的微放电阈值功率；所述同轴谐振器微放电敏感曲线

专利地区：陕西