基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器专利登记公告

专利名称：基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器

摘要：一种基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器，包括：一MEMS谐振器；一低通滤波器的输入端与MEMS谐振器的输出端连接；一高增益反相器的输入端与低通滤波器的输出端连接；一窄脉冲发生器的输入端与高增益反相器的输出端连接，该窄脉冲发生器的输出端与MEMS谐振器输入端连接；一可控寄生电容包含三个端口，为输入端、输出端和控制端，其输入端与MEMS谐振器的输出端连接，输出端与地连接；一自动控制电路的输出端与可控寄生电容的控制端连接；一温度传感器的输出端与自动控制电路的输入端连接；一MEMS振荡器回路由一MEM

专利类型：发明专利

专利号：CN201210051847.3

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：司朝伟;韩国威;宁瑾;刘晓东

主权项：一种基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器，包括：一MEMS谐振器；一低通滤波器，该低通滤波器的输入端与MEMS谐振器的输出端连接；一高增益反相器，该高增益反相器的输入端与低通滤波器的输出端连接；一窄脉冲发生器，该窄脉冲发生器的输入端与高增益反相器的输出端连接，该窄脉冲发生器的输出端与MEMS谐振器输入端连接，形成闭合回路；一可控寄生电容，该可控寄生电容包含三个端口，为输入端、输出端和控制端，该可控寄生电容的输入端与MEMS谐振器的输出端连接，输出端与地连接；一自动控制电路，该自动控制电路的输出端

专利地区：北京