一种利用超短脉冲激光制备硅基表面陷光结构的方法专利登记公告

专利名称：一种利用超短脉冲激光制备硅基表面陷光结构的方法

摘要：本发明涉及硅基表面陷光结构，特指一种利用可见/近红外超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法，可适用于晶体硅和薄膜硅等硅基材料。本发明的目的是克服在先技术上的不足，提供一种利用超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法，无需气体或液体作为环境介质，通过表面贴膜法来实现硅基表面结构成形。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210052373.4

专利申请（专利权）人：江苏大学

专利发明（设计）人：周明;李保家;张伟;唐万羿;马明;蔡兰

主权项：一种利用超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：①?选用超短脉冲激光器，要求其脉冲宽度小于20?ns、波长在400~1000?nm；②?选用高分子透明贴膜，高分子透明贴膜耐温≧50℃、透光率≧90%、厚度≦1?mm；③?对硅基样品进行前期清洗；④?将透明贴膜紧贴于放置在样品台上的硅基样品表面上，调整样品台的位置，使上述激光器发出的激光束经透镜聚焦后的焦点位于硅基样品表面以下100~500?μm处，即硅基样品表面位于激光焦前100~500?μm处；⑤?调整激光器的输出，控

专利地区：江苏