非易失性存储器件及其制造方法和操作方法专利登记公告

专利名称：非易失性存储器件及其制造方法和操作方法

摘要：本发明公开一种非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括：交替地彼此平行布置的位线和源极线；以及交替地布置在位线与源极线之间并且每个包括漏极选择晶体管、存储器晶体管和源极选择晶体管的偶数串和奇数串。漏极选择晶体管包括结构与存储器晶体管相同的第一漏极选择晶体管和结构与源极选择晶体管相同的第二漏极选择晶体管。所述非易失性存储器件还包括与所述偶数串的第一漏极选择晶体管和奇数串的第二漏极选择晶体管连接的偶数漏极选择线，以及与奇数串的第一漏极选择晶体管和偶数串的第二漏极选择晶体管连接的奇数漏极选择线。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210052965.6

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：李南宰

主权项：一种非易失性存储器件，包括：位线和源极线，所述位线与所述源极线交替地彼此平行布置；偶数串和奇数串，所述偶数串与所述奇数串交替地布置在所述位线与所述源极线之间并且每个包括漏极选择晶体管、存储器晶体管和源极选择晶体管，其中，所述漏极选择晶体管包括结构与所述存储器晶体管相同的第一漏极选择晶体管和结构与所述源极选择晶体管相同的第二漏极选择晶体管；偶数漏极选择线，所述偶数漏极选择线与所述偶数串的第一漏极选择晶体管和所述奇数串的第二漏极选择晶体管连接；以及奇数漏极选择线，所述奇数漏极选择线与所述偶数串的第二漏极选择晶

专利地区：韩国