一种直流等离子体喷射CVD法制备氧化镁纳米带的方法专利登记公告

专利名称：一种直流等离子体喷射CVD法制备氧化镁纳米带的方法

摘要：一种直流等离子体喷射CVD法制备氧化镁纳米带的方法，以硝酸镁和硝酸镍混合溶液作为前驱物，将此混合液滴在钼、锆等基片上，晾干后置于直流等离子体喷射化学气相沉积设备腔内的沉积台上，直流电弧放电使保护气体和氢气形成高温等离子体，然后喷射于基片上，前驱物溶液被高温等离子体分解并还原后形成氧化镁纳米带。本发明的优点是：采用直流等离子体喷射化学气相沉积系统可直接制备出高纯度的氧化镁纳米带，该方法工艺简单、易于实施，制备的氧化镁纳米带纯度较高，结晶性较好，且制备速率快，可大批量生产，在催化剂和催化剂载体领域有广阔的应用

专利类型：发明专利

专利号：CN201210053499.3

专利申请（专利权）人：天津理工大学

专利发明（设计）人：李明吉;狄海荣;李红姬;吴小国;杨保和

主权项：一种直流等离子体喷射CVD法制备氧化镁纳米带的方法，其特征在于步骤如下：1)将硝酸镁晶体和硝酸镍晶体溶解于无水乙醇中制得混合溶液作为前驱物；2)将上述制得的混合溶液均匀滴在基片上，自然晾干；3)用锡丝垫到上述基片下，放置于直流等离子体喷射化学气相沉积设备腔内的沉积台上；4)关闭真空室并打开真空泵和水泵抽真空，等泵压小于3kpa时，打开罗茨泵，当腔内压强小于0.1Pa时，向真空室通入保护气体和氢气，保护气体流量为1?3L/min，氢气流量为6?15L/min，启动直流电弧，弧电流为75?150A，调节排气阀

专利地区：天津