一种炉外精炼提纯工业硅的方法专利登记公告

专利名称：一种炉外精炼提纯工业硅的方法

摘要：本发明涉及一种炉外精炼提纯工业硅的方法，在矿热炉释放硅熔体到抬包之前，向抬包中持续通入精炼气体，接着释放硅熔体到抬包中，并在抬包中进行加热，控制熔体温度在一定范围内，再向抬包中加入精炼剂进行造渣精炼，随着抬包内硅熔体量的不断增加，调整精炼气体的通入流量、压力等进行炉外精炼；待炉外精炼完毕后，进行渣硅分离，再进行浇注，即完成炉外精炼提纯工业硅。通过上述炉外精炼过程，可以去除工业硅熔体中包括Al、Ca、Ti、Na在内的大部分金属杂质和部分B、P、S、C等非金属杂质，同时可以为后续的工业硅提纯控制有效的成分，为

专利类型：发明专利

专利号：CN201210054652.4

专利申请（专利权）人：昆明理工大学

专利发明（设计）人：马文会;魏奎先;王统;谢克强;伍继君;周阳;杨斌;戴永年

主权项：一种炉外精炼提纯工业硅的方法，其特征在于经过下列步骤：在矿热炉释放硅熔体之前，向抬包中持续通入精炼气体，接着释放硅熔体到抬包中，并在抬包中进行加热、保温，使硅熔体的炉外精炼温度控制在1450～1700℃，再向抬包中加入精炼剂进行造渣精炼，使渣硅比控制在10︰1～1︰10，随着抬包中硅熔体量的不断增加，调整精炼气体的通入流量为1～10m3/h，压力为2～8atm，进行炉外精炼1～6h；然后进行渣硅分离，再进行浇注，即完成炉外精炼提纯工业硅。

专利地区：云南