一种镍纳米颗粒/硅纳米线磁性复合材料的制备方法专利登记公告

专利名称：一种镍纳米颗粒/硅纳米线磁性复合材料的制备方法

摘要：本发明公开了一种镍纳米颗粒/硅纳米线磁性复合材料的制备方法，该方法是在硅片上生长硅纳米线，再在硅纳米线上沉积镍纳米颗粒，得到镍纳米颗粒/硅纳米线磁性复合材料，该材料镍纳米颗粒为大小均匀球状纳米颗粒，直径为35～40nm；单分散在直径为20～300nm、长度为70～75μm的硅纳米线表面，相对独立，互无干扰；具有高阻塞温度(370K)，高矫顽力和低饱和磁化强度等磁性特征（5K时，饱和磁化强度为4.5emu/g，矫顽力为375.3Oe；400K时，饱和磁化强度为2.6emu/g，矫顽力为33.3Oe）。本发明

专利类型：发明专利

专利号：CN201210054705.2

专利申请（专利权）人：华东师范大学

专利发明（设计）人：王志亮;陈雪皎;朱美光;陈云;严强;张健

主权项：一种镍纳米颗粒/硅纳米线磁性复合材料的制备方法，其特征在于该方法包括以下具体步骤：(1)?标准RCA清洗步骤清洗硅片（p?Si，双面抛光，<100>?晶向，电阻率为?0.1?10?W×cm），氮气吹干备用；(2)?25?mmol?L?1AgNO3溶液与浓度为40%的氢氟酸混合，得到混合溶液，其25?mmol?L?1AgNO3溶液和浓度为40%?的氢氟酸体积比为1:1，超声使混合溶液均匀分布；将经清洗的硅片完全淹没于混合溶液中进行刻蚀，在刻蚀过程中，硅片表面与混合溶液液面垂直，并保证硅片两面刻蚀速率相同，反

专利地区：上海