低功耗数字域累加CMOS-TDI图像传感器专利登记公告

专利名称：低功耗数字域累加CMOS-TDI图像传感器

摘要：本发明涉及数模混合集成电路设计领域。为提供一种不降低CMOS-TDI图像传感器行频的基础上可以降低ADC的转换速率，进而降低传感器的功耗，为达到上述目的，本发明采取的技术方案是，低功耗数字域累加CMOS-TDI图像传感器，包括：n+k行×m列的像素阵列、列并行信号预处理电路、列并行逐次逼近型模数转换器、列并行数字域累加器、列并行除法器、时序控制电路和输出移位寄存器，此外还包括：在列并行数字域累加器中再增加n+k+1个粗量化存储单元，用于存储粗量化结果；n次细量化结果的存储单元；将n次细量化的结果进行累加后

专利类型：发明专利

专利号：CN201210054725.X

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：姚素英;聂凯明;徐江涛;高静;史再峰;高岑

主权项：一种低功耗数字域累加CMOS?TDI图像传感器，包括：n+k行×m列的像素阵列、列并行信号预处理电路、列并行逐次逼近型模数转换器、列并行数字域累加器、列并行除法器、时序控制电路和输出移位寄存器，其特征是，还包括：在列并行数字域累加器中再增加n+k+1个粗量化存储单元，用于存储粗量化结果；n次细量化结果的存储单元；将n次细量化的结果进行累加后输出即完成n级TDI信号累加。

专利地区：天津