一种高钙除磷的硅的清洗方法专利登记公告

专利名称：一种高钙除磷的硅的清洗方法

摘要：一种高钙除磷的硅的清洗方法，其先将高钙金属硅先破碎成颗粒后，再研磨筛分出粉料，取样测定其钙含量；其次将该粉料用盐酸溶液浸泡，搅拌，固液分离，用去离子水清洗得到初级混合粉料；再者接着将初级混合粉料用碱溶液进行浸泡，搅拌，固液分离，用去离子水清洗得到二级粉料；接着将二级粉料用硫酸和氢氟酸的混酸溶液进行浸泡，搅拌，加热，固液分离，用去离子水清洗得到三级粉料；之后将三级粉料用盐酸和氢氟酸的混酸溶液进行浸泡，搅拌，加热，固液分离，用去离子水清洗得到四级粉料；最后将四级粉料经过真空干燥后，获得低磷硅粉。使用本方法进行

专利类型：发明专利

专利号：CN201210054920.2

专利申请（专利权）人：矽明科技股份有限公司

专利发明（设计）人：刘荣隆;叶联蔚

主权项：一种高钙除磷的硅的清洗方法，其特征在于依以下步骤进行清洗：步骤1，将高钙金属硅先破碎成1～10mm颗粒后，再研磨至20目以上，筛分出100～20目的粉料，取样，用ICP－AES测定其钙含量；步骤2，将步骤1的粉料用盐酸溶液浸泡，搅拌，反应时间2～10小时，固液分离，并用去离子水清洗3～6次，得到初级混合粉料；步骤3，将步骤2的初级混合粉料用碱溶液进行浸泡，搅拌，反应时间0.5～4小时，固液分离，并用去离子水清洗3～6次，得到二级粉料；步骤4，将步骤3的二级粉料用硫酸和氢氟酸的混酸溶液进行浸泡，搅拌，加热，

专利地区：香港