高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法专利登记公告

专利名称：高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法

摘要：本发明涉及一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法。利用反应溅射在具有双轴织构取向的Ni-5%W基底上外延生长简化的双层稀土氧化物缓冲层结构，包括（Ⅰ）La2Zr2O7/Ce2Y2O7、（Ⅱ）Y2O3/La2Zr2O7。即第一缓冲层（下缓冲层），第二缓冲层（上缓冲层），形成高温超导涂层导体双层缓冲层结构。反应溅射沉积过程之前，对金属NiW基底进行预处理。在700℃的温度和ArH2气氛中对金属基底进行热处理；抽腔体背底真空至10-5Pa以下；溅射时通入水蒸汽，水分压控制在2.1×10-2Pa；整个

专利类型：发明专利

专利号：CN201210055356.6

专利申请（专利权）人：上海大学

专利发明（设计）人：蔡传兵;范峰;赵荣;鲁玉明;刘志勇

主权项：一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构，其特征在于：在具有双轴织构取向的Ni?5%W合金基底上生长双层稀土氧化物缓冲层结构，该双层稀土氧化物缓冲层的结构为：包括（Ⅰ）La2Zr2O7/Ce2Y2O7、（Ⅱ）Y2O3/La2Zr2O7；斜线前者为第一缓冲层也即下缓冲层，斜线后者为第二缓冲层也即上缓冲层此权利要求1所述的一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构，其特征在于所述的（Ⅰ）Ce2Y2O7第一缓冲层可以用CeO2来取代，其第二缓冲层La2Zr2O7可以用Gd2Zr2O7来取代；所述的（Ⅱ）中的Y2O3第一缓冲层

专利地区：上海