利用Co/SiO₂废催化剂制备高纯硝酸钴晶体的方法专利登记公告

专利名称：利用Co/SiO₂废催化剂制备高纯硝酸钴晶体的方法

摘要：本发明公开了一种利用Co/SiO2废催化剂制备高纯硝酸钴晶体的方法。该方法依次包括如下步骤：1)将待处理Co/SiO2废催化剂在350～500℃有空气的条件下焙烧3～6h，冷却至室温后研磨成粉末；2)将废催化剂粉末转入流化床反应器，在H2、N2混合气体中进行还原反应8～12h；3)将经还原反应的废催化剂加入至过量稀硝酸溶液中充分溶解、过滤；4)用碱液调节所得到硝酸钴溶液的pH值至1.5，在25～80℃水浴条件下，加入草酸溶液进行反应，用稀碱溶液调节反应后溶液至pH值＝1.5，趁热过滤得到草酸钴沉淀；5)将

专利类型：发明专利

专利号：CN201210055799.5

专利申请（专利权）人：武汉凯迪工程技术研究总院有限公司

专利发明（设计）人：韩奕铭;刘倩倩;赖波;许莉;宋德臣

主权项：一种利用Co/SiO2废催化剂制备高纯硝酸钴晶体的方法，其特征在于：它包括如下步骤：1)将待处理Co/SiO2废催化剂在350～500℃有空气的条件下焙烧3～6h，冷却至室温后研磨成粉末；2)将经焙烧处理后的废催化剂转入流化床反应器，在H2、N2混合气体中进行还原反应8～12h，其中，控制所述混合气体中H2、N2积比为1～4∶1；3)将经还原反应的废催化剂加入至过量稀硝酸溶液中充分溶解、过滤，得到硝酸钴溶液；4)用碱液调节所得到硝酸钴溶液的pH值至1.5，在25～80℃水浴条件下，加入预热至25～80℃且

专利地区：湖北