一种表面等离子激元狭缝光波导专利登记公告

专利名称：一种表面等离子激元狭缝光波导

摘要：本发明公开了一种表面等离子激元狭缝光波导结构，该波导结构的横截面包括“V”字形金属基底(1)、介质层(2)、嵌于介质层的金属区域(3)和包层(4)。金属基底和金属区域之间的狭缝可以对传输光实现很强的模场限制，为超高集成度光波导芯片的实现提供可能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210055918.7

专利申请（专利权）人：北京航空航天大学

专利发明（设计）人：郑铮;卞宇生;赵欣;刘磊;苏亚林;刘建胜

主权项：一种能实现强模场限制的表面等离子激元狭缝光波导结构，其横截面从下到上依次为金属基底、介质区域、嵌于介质区域中的金属区域以及包层；金属基底在与介质区域相接的区域的外轮廓呈“V”字形，且金属基底“V”字形区域的高度范围为所传输光信号的波长的0.12?0.65倍，金属基底“V”字形区域中心的外顶角的角度大于5度且小于180度；介质区域上表面和两侧均与金属基底相接，其上表面与包层相接，介质区域底部中心的内顶角与金属基底“V”字形区域中心的外顶角相等；嵌于介质区域中的金属区域与金属基底不相接触，金属区域的最大宽度为

专利地区：北京