辐射成像装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：辐射成像装置及其制造方法

摘要：本发明涉及辐射成像装置及其制造方法，提供了一种辐射成像装置，其包括：传感器基板，其具有包括光电转换元件的像素部分；闪烁体层，其设置传感器基板的像素部分上；以及密封层，其中利用该密封层密封闪烁体层的至少一部分，其中密封层包括远离闪烁体层、布置在传感器基板上的第一壁部，以及设置在闪烁体层与第一壁部之间的防潮层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210056210.3

专利申请（专利权）人：索尼公司

专利发明（设计）人：草山育实;横泽信幸;川西光宏;五十岚崇裕

主权项：一种辐射成像装置，其包括：传感器基板，其具有包括光电转换元件的像素部分；闪烁体层，其设置所述传感器基板的所述像素部分上；以及密封层，利用所述密封层密封所述闪烁体层的至少一部分，其中所述密封层包括第一壁部，其远离所述闪烁体层、布置在所述传感器基板上，以及防潮层，其设置在所述闪烁体层与所述第一壁部之间。

专利地区：日本