一种顶发射OLED的复合薄膜封装方法专利登记公告

专利名称：一种顶发射OLED的复合薄膜封装方法

摘要：本发明具体涉及一种顶发射OLED的复合薄膜封装方法。本方法的工艺步骤为：先在顶发射OLED器件上蒸镀上透明有机薄膜作为缓冲层或半透明MgF2、ZnS或MgF2/ZnS薄膜作为预封装层，然后再利用化学汽相沉积（PECVD）制备半透明氧化硅和氮化硅封装薄膜，形成缓冲层或预封装层与封装层薄膜组合的复合薄膜封装结构。本发明所述封装方法，避免了顶发射OLED器件由真空蒸镀设备转移到PECVD设备进行薄膜封装的过程中受到空气中的氧气和水汽的渗透影响，也大大降低了等离子体轰击破坏顶发射OLED器件的薄顶电极和有机层的作

专利类型：发明专利

专利号：CN201210057243.X

专利申请（专利权）人：上海大学

专利发明（设计）人：桑仁政;张民艳;龙梨;于建宁;童亮;张浩;魏斌;张建华

主权项：一种顶发射OLED的复合薄膜封装方法，其工艺操作步骤包括：（1）衬底清洗：首先使用去污粉对衬底进行初步清洗，直到在衬底上形成一层连续的水膜；然后依次用去离子水、乙醇、丙酮超声10分钟处理，再用去离子水超声清洗30分钟以上；（2）吹干衬底：洗净后的衬底用干净N2吹干，然后立即移入真空蒸发腔室中；（3）在衬底上制备顶发射OLED；（4）在所制作的顶发射OLED阴极上蒸镀缓冲层或预封装层；（5）将器件移至等离子增强化学汽相沉积(PECVD)设备中，沉积薄膜封装层。

专利地区：上海