TFT阵列基板、TFT阵列基板制造方法及显示装置专利登记公告

专利名称：TFT阵列基板、TFT阵列基板制造方法及显示装置

摘要：本发明实施例提供了一种TFT阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置，能够减小TFT阵列基板的耦合电容，提高像素单元的开口率，提高电子显示设备的对比度。该TFT阵列基板包括：基板，形成于基板上的栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源极、漏极、像素电极，所述数据线与所述源极相连，所述漏极与所述像素电极相连，所述源极、漏极和像素电极之间依次形成有第一绝缘层、金属层、第二绝缘层，所述金属层通过金属层引线过孔与稳定电压信号线连接。本发明用于TFT阵列基板有源驱动的电子显示设备。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210057623.3

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司

专利发明（设计）人：盖翠丽;张卓

主权项：一种TFT阵列基板，包括：基板，形成于基板上的栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源极、漏极、像素电极，所述数据线与所述源极相连，所述漏极与所述像素电极相连，其特征在于，所述源极、漏极和像素电极之间依次形成有第一绝缘层、金属层、第二绝缘层，所述金属层通过金属层引线过孔与稳定电压信号线连接。

专利地区：北京