具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计专利登记公告

专利名称：具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计

摘要：一种具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计，主要结构由键合基底、敏感质量块、固定外框、组合梁、硅纳米线电阻、凹槽、阻尼孔组成，组合梁由检测梁、连接块、横向缓冲梁组成，硅纳米线电阻由硅纳米带电阻层、硅纳米带电阻正极、硅纳米带电阻负极组成；以键合基底为载体，在键合基底上键合有固定外框，固定外框的四边中心位置处连接有组合梁，组合梁连接于敏感质量块的四角部位，且内嵌于组合梁运动空间内，组合梁由检测梁、连接块、横向缓冲梁组成，结构设计紧凑，既能充分利用空间，适合器件微型化，又能抗击横向干扰，提高检测精度，硅纳

专利类型：发明专利

专利号：CN201210057647.9

专利申请（专利权）人：中北大学

专利发明（设计）人：李孟委;刘俊;杜康;王莉;李锡广

主权项：具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计，其特征在于：主要结构由键合基底、敏感质量块、固定外框、组合梁、硅纳米线电阻、凹槽、阻尼孔组成，组合梁由检测梁、连接块、横向缓冲梁组成，硅纳米线电阻由硅纳米带电阻层、硅纳米带电阻正极、硅纳米带电阻负极组成；在键合基板（1）的四周区域键合有固定基座（3），固定基座（3）内侧四边的中心位置处连接有组合梁（4、5、6、7）的一端，组合梁（4、5、6、7）的另一端分别连接于敏感质量块（2）的四角部位，敏感质量块（1）上均布有阻尼孔（17），组合梁（4、5、6、7）的根部

专利地区：山西