一种单层MoS₂纳米片溶液的制备方法专利登记公告

专利名称：一种单层MoS₂纳米片溶液的制备方法

摘要：本发明公开了一种单层MoS2纳米片溶液的制备方法，该方法包括以下步骤：称量MoS2粉末置于吡咯烷酮类溶剂中，磁力搅拌后，转入水热反应釜中进行水热预处理；向经过水热预处理的溶液加入表面活性剂，通过超声粉碎机进行超声剥离，然后将得到的溶液进行离心处理；取上层清液即为单层MoS2纳米片溶液。与现有技术使用MoS2与烷基锂反应后进行超声剥离得到单层MoS2纳米片溶液相比较，本发明中使用的有机溶剂对环境不敏感，而且整个制备周期短，得到的单层MoS2纳米片分散性与稳定性更好，成本也较低。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210057757.5

专利申请（专利权）人：长安大学

专利发明（设计）人：阎鑫;赵鹏;艾涛

主权项：一种单层MoS2纳米片溶液的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1)选取N?甲基吡咯烷酮、N?乙烯基吡咯烷酮、N?辛基吡咯烷酮、N?十二烷基吡咯烷酮、N?环己基吡咯烷酮、二甲基咪唑烷酮其中一种作为溶剂，向所选择的溶剂中加入MoS2粉体，其中MoS2粉体在溶剂的浓度为0.5～1.5mg/mL，然后将混合的溶液磁力搅拌30min，移入水热反应釜；2)将上述反应釜置于烘箱80～120℃，反应时间6～8h，得到前驱体溶液；3)取出经过水热处理的前驱体溶液，向前驱体溶液中加入表面活性剂，其中表面活性剂与前驱体

专利地区：陕西